..

జర్నల్ ఆఫ్ లేజర్స్, ఆప్టిక్స్ & ఫోటోనిక్స్

మాన్యుస్క్రిప్ట్ సమర్పించండి arrow_forward arrow_forward ..

Applied Physics 2019: Charge-diminution at the Si-SiO2 system interface - Kropman D - Tallinn University

Abstract

Kropman D

The way that a positive charge development happens in SiO2 film during the cycle of Si warm oxidation is now known, with the arrangement being needy upon the oxidation conditions which include temperature, time and surrounding conditions. This is associated by oxygen opportunities in the SiO2 film and unsaturated Si3, bonds at the interface.

నిరాకరణ: ఈ సారాంశం ఆర్టిఫిషియల్ ఇంటెలిజెన్స్ టూల్స్ ఉపయోగించి అనువదించబడింది మరియు ఇంకా సమీక్షించబడలేదు లేదా నిర్ధారించబడలేదు

ఈ కథనాన్ని భాగస్వామ్యం చేయండి

ఇండెక్స్ చేయబడింది

arrow_upward arrow_upward